NPN Transistörün toplayıcı verici direnci nedir?

15

toplayıcı yayıcı direncinin var olup olmadığından emin olmadığım için soru saçma görünebilir. İşte basit bir commom yayıcı devresi

resim açıklamasını buraya girin

Ben öğrendim gibi Vb artış Ib artıracak böylece Ic de artması gerekir. Yük direnci olduğu halde Ic arttığında, ancak Vcc sabit ve Ic = (Vcc-Vc) / RL (Yük Direnci) olduğunda Vc azalmalı ve tersi olmalıdır. Yayıcı bu şekilde çalışır

Şimdi, Vcc ve Toprak arasındaki Gerilim Düşümü ve Yük Direnç değeri sabittir. Verici ve Toprak arasında, Vc çok daha büyükken (yük direncine bağlı olan) Ve = 0 ve Vb = 0.6-0.7 yapan bir şey olmadığını varsayalım. Bu nedenle, Toplayıcı ile verici arasında voltaj düşüşüne neden olan Ve = 0 yapmak için enerjiyi harcayan bir şey olmalıdır. Bunu yapmak için toplayıcı ve verici arasında değişen direnç gibi davranan bir şey var mı?

Başka bir deyişle, toplayıcı ve yayıcı arasındaki voltaj düşüşünü sağlamak için aralarında direnç gibi davranan bir şey olmalı, değil mi? Hayır ise, voltaj farkını ne yapar?

Diğer konfigürasyonda toplayıcı yayıcının da direnci var mı?

transistors

— aukxn
kaynak

İdeal olarak toplayıcı sadece bir akım kaynağına bağlanır, bu nedenle toplayıcı yayıcı direnci sonsuzdur. Çıkış gerilimi kolektör direnci tarafından ayarlanır. Buradan kontrol edin . Genellikle

ve

h_{r e} = 0 \frac{V}{V}

$h_{re}=0\frac{V}{V}$

h_{o e} = 0 Ω^{- 1}

$h_{oe}=0\Omega^{-1}$

— Vladimir Cravero

10

BJT kollektör akım denklemi

i_{C} = I_{S} \cdot e^{\frac{v_{B E}}{V_{T}}} (1 + \frac{v_{C B}}{V_{A}})

$i_C = I_S\cdot e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\left(1 + \frac{v_{CB}}{V_A}\right)$

$V_A$

i_{C} = I_{S} \cdot e^{\frac{v_{B E}}{V_{T}}} (1 + \frac{v_{C E}}{V_{A}})

$i_C = I_S\cdot e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\left(1 + \frac{v_{CE}}{V_A}\right)$

Böylece

\frac{\partial i_{C}}{\partial v_{C E}} = \frac{I_{S} \cdot e^{\frac{V_{B E}}{V_{T}}}}{V_{A}} = \frac{i_{C}}{V_{A} + v_{C E}}

$\frac{\partial i_C}{\partial v_{CE}} = \frac{I_S\cdot e^{\frac{V_{BE}}{V_T}}}{V_A} = \frac{i_C}{V_A + v_{CE}}$

Bu, toplayıcı-verici voltajının ve toplayıcı akımının doğrusal olmayan bir fonksiyonudur, bu nedenle bir iletkenlik olarak yorumlanamaz.

$I_C$ $V_{CE}$

I_{C} + i_{c} \approx I_{C} (1 + \frac{v_{c e}}{V_{A} + V_{C E}}) = I_{C} + \frac{v_{c e}}{r_{o}}

$I_C + i_c \approx I_C\left(1 + \frac{v_{ce}}{V_A + V_{CE}} \right) = I_C + \frac{v_{ce}}{r_o}$

nerede

r_{o} = \frac{V_{A} + V_{C E}}{I_{C}}

$r_o = \frac{V_A + V_{CE}}{I_C}$

$r_o$

Sabit olmadığı için gerçek bir direnç değildir, bunun yerine formülde görülebileceği gibi transistörün çalışma noktasına göre değişir.

— Alfred Centauri
kaynak

Transistörün güçlü bir LİNEER olmayan eleman olduğunu eklemek isterim. Bu nedenle - her lineer olmayan parça için olduğu gibi - statik direnç (Rce = VCE / IC) ve diferansiyel (dinamik) direnç (rce = ro = d (VCE) / d (IC) arasında ayrım yapmalısınız. karışıktır, yukarıdaki cevapta ro ifadesinin sadece DC değerleri içerdiği doğrudur.Bu, üstel bir fonksiyonun ayırt edilmesinin sonucudur Rce statik direncinin devre tasarımında önemli bir rol oynamadığını unutmayın

— LvW

4

Birkaç iyi cevabın var. Bazı sezgisel bilgiler eklemeye çalışacağım.

Transistör doymuş olmayacak şekilde önyargılı olduğunda, mevcut bir lavabo gibi davranır (mükemmel bir akım lavabosunun sonsuz empedansı olduğunu hatırlayın), bu nedenle toplayıcı yükü bağlantısı, Thevenin eşdeğer kaynak empedansına eşit bir voltaj kaynağına benziyor yük direnci. Voltaj, baz akımına ve betaya bağlıdır. Bu, Alfred'in yazdıklarına eşdeğerdir, ancak sonsuz bir Erken voltaj ile. Erken gerilime bağlı toplayıcı empedansı yük direncine paraleldir, bu nedenle yük direnci olmadan gerçekçi olan bir cevap almak için Alfred'in yaptığı gibi eklemeniz gerekir.

Transistör doygun olduğunda, oldukça düşük bir küçük sinyal kaynağı direnci ile << 1 voltluk bir voltaj kaynağı gibi davranır.

— Spehro Pefhany
kaynak

3

Basit bir şekilde cevaplamak için: toplayıcı mevcut bir lavabo gibi davranır ve toplayıcı voltajı bu akım akış miktarına izin veren herhangi bir değere düşer (yaklaşık V _e + 0.2V'den daha düşük bir değere ulaşamaz).

Örnek devrenizde, toplayıcı-yayıcı birleşimi, değeri amplifikatörün çıkışında mevcut olan elektronik duruma bağlı olan değişken bir direnç olarak düşünülebilir. Ayrıca bir direnç gibi ısınır: I _c * V _c = Watt'ta üretilen ısı miktarı, transistörü ısıtır.

— Rennex
kaynak

2

Besleme gerilimi ve yük direnci sabit kalırsa, taban akımı değiştikçe, kolektör gerilimi ve akımı değişecektir.

Durum böyle olduğunda, herhangi bir kollektör akımı için kollektör ve verici arasında bir direnç olmalıdır, böylece:

DÜZENLE:

R, 2 = \frac{E 2 R, 1}{E 1 - E 2}

$R2 = \frac{E2R1}{E1 - E2}$

R2, transistörün toplayıcı-verici direnci olduğunda, E1 besleme voltajı, E2 toplayıcı-verici voltajı ve R1 yük direncidir.

— EM Alanları
kaynak

Bu cevap biraz boyutsal olarak zor. Bunun tersi, n'est ce pas?

— Spehro Pefhany

Spehro: Kanalın iletkenliği?

— EM Fields

R2 = ise, birimler ohm olmalıdır. Onlar 1 /

Ω

$\Omega$ (volt iptal edilir, 1 /

Ω

$\Omega$ ).

\frac{1}{R 2} =

$\frac{1}{R2} =$ de çalışacak.

— Spehro Pefhany

Spehro: Mükemmel av! Payı ve paydayı bassackwards'a aldım, aargh ... Gerçeklik kontrolü için teşekkürler.

— EM Fields

Zaten basit bir örnek, verilen formülle ilişkili sorunları ortaya çıkarır - çünkü sadece dc voltajları dikkate alır. Set E2 = E1 / 2 ve R1 = R2 var. Hiç yardımcı olmayan bir sonuç. Toplayıcı verici yolu kesinlikle doğrusal değildir ve her zaman statik ve dinamik (diferansiyel) dirençler arasında ayrım yapmalıyız. Dahası, BJT için statik direncin resmi tanımı tamamen işe yaramaz. Aukxn'e tavsiyem: Sadece A. Centauri'nin cevabına güvenin.

— LvW

1

Sormak gerçekten doğru bir soru değil. Bir yarı iletken akım akışına direnç gösterirken, bir kapasitör de öyle. Başlamanın yolu, transistördeki voltaj düşüşünün ne olduğunu sormaktır. Bu, her bileşen için genellikle yayınlanan bir değerdir. Bu şekilde, belirli çalışma koşullarını bildiğinizde, devrenin diğer kısımlarına yerleştirilecek voltaj ve uygun dirençleri kolayca hesaplayabilirsiniz.

— twinsemi
kaynak