Bu LED aydınlatma transistör devresini anlamaya yardımcı olun

Bu devreyi referans bir tasarımdan simüle ettim ama nasıl çalıştığından veya böyle bir şeyi tasarlamaya nasıl devam edeceğinizden tam olarak emin değilim. Simülasyonda, 25V'a kadar bir giriş voltajı aralığına rağmen, D1'den geçen akımı 5mA civarında sabit tutacak şekilde tasarlanmış gibi görünüyor.

M1 için geçit voltajının yaklaşık 1.6V'da tutulduğunu ve giriş voltajı arttıkça BJT için taban voltajın yükseldiğini görüyorum. Böylece voltaj BJT'den geçen akım arttıkça ayarlanabilir bir empedans gibi davranır, sanırım geçit voltajını sabit tutarım. Bu doğru mu?

Bu sadece baharatta yaptığınız bir şey mi yoksa bir yerlerde iyi tanımlanmış bir tür güncel ayna devresi mi ve ben bunu tanımıyorum?

Bu devre, besleme voltajından bağımsız olarak LED'e sabit bir akım sağlamak üzere tasarlanmıştır.

MOSFET, Q1 kollektöründeki voltaj ile açılır. R1'den geçen (LED ile aynıdır) akım yaklaşık 0.6V'luk bir düşüşle sonuçlanır olmaz, Q1 açılmaya ve akımı R2'den yönlendirmeye başlayacaktır.

Bu daha sonra M1 ve LED üzerinden akımı kontrol etmek için M1 kapısındaki voltajı azaltacaktır.

Negatif geri besleme, akımı D1, M1 ve R1 üzerinden yaklaşık 5mA'da stabilize edecektir, bu da Q1 bazında 0.6V ile sonuçlanacaktır.

Besleme gerilimi değiştikçe akım biraz değişecektir, ancak bir direnç kullanmaktan çok daha az olacaktır.

Transistörün Vbe değeri ~ 2.2mV / derece sıcaklık katsayısına sahip olacağından sıcaklıkla da değişir.

Aynı devre, M1'in bir MOSFET yerine bir BJT (2n2222 gibi) olduğu durumlarda kullanılabilir. Transistör R2'den bir miktar baz akım gerektireceğinden, R2 değeri daha kritik olacaktır.

Bunun bir akım kaynağı için en basit devre olmadığı belirtilmelidir. 5mA akım ile bir LED sürmek tek bir transistör ile yapılabilir:

Daha basit olmasının yanı sıra, bu şema, akım değerinin Vbebir transistörden diğerine% 20 kadar değişebilen zener voltajına (yaygın olarak% 2-5 toleransla) bağımlı olma avantajına sahiptir . DSıcaklık telafisi için ekstra bir diyot da vardır , ancak yüksek hassasiyet gereksinimleri olmayan veya iç mekanda kullanılması amaçlanan cihazlar için dışarıda bırakılabilir.

Bulduğunuz şematik, yüksek akım uygulamaları için daha uygundur. Yük teknesi akım tarafından karar Çünkü Vbebir Q1ve R1ve geçerli yoluyla Q1küçük, sen önemli herhangi ısı (ve ilgili parametre sürüklenme) olmadan yüksek yük akımlarını elde edebilirsiniz Q1.

Bununla birlikte, 5mA uygulaması için mükemmel derecede iyi bir N-MOS israfıdır.