Mikrodenetleyiciden LED şerit sürüşü

Parlaklığı kontrol etmek için PWM kullanarak bir mikrodenetleyiciden bir LED şeridi sürmek istiyorum. Elimdeki şerit 12V'de yaklaşık 1.5A alır. Sadece tamamen düşük güçlü dijital elektroniklere aşinayım, bu nedenle bu varsayımların doğru olup olmadığını kontrol etmek ve herhangi bir tavsiye almak istedim: -

• Bunu sürmek için bir NPN transistörü kullanırsam, açıldığında transistör yaklaşık 0,7 v düşecektir, bu nedenle açıldığında 1Watt'ın üzerinde dağılacaktır.
• Bu, makul derecede tıknaz bir transistör ve mümkünse kaçınmak istediğim bir soğutucu gerektirir.

• Bu yüzden çok daha düşük dirence sahip bir mosfet kullanmak daha iyi olurdu, bu yüzden daha küçük olanla ve belki de soğutucu ile kurtulabilir miyim?

• Ancak satın alabileceğim çeşitli MOSFET'lerin spesifikasyonlarına baktığımda, bu miktarda akımın geçebileceği herhangi bir şeye benziyor 3.3V'den daha fazla gerektirir.

• Peki, gerçek LED şeridi kontrol etmek için 12v'yi bir mosfet girişine geçiren küçük bir NPN transistörüne sahip olmam en iyisidir? (Üzgünüm, bu bilgisayarda bir diyagram çizemiyorum ancak gerekirse daha sonra bir diyagram ekleyebilirim)

Varsayımlarım doğru mu ve herhangi birinin tavsiyesi veya daha iyi bir yolu var mı? Ana sorum olmasa da uygun parçalar için önerilerle de ilgilenirim.

(Düzenleme: Bunu cevaplayan ve istediğim gibi bir şey bulamayan diğer yayınları aradım, eğer birisi yinelenen bir bağlantı varsa, lütfen gönderin ve soruyu mutlu bir şekilde kapatırım)

3,3 Volt ile değiştirilen 12 Volt'ta 1,5 A için, burada iyi çalışan bir MOSFET çözümü var. Burada önerilen MOSFET , eBay ve diğer sitelerden ücretsiz gönderim ile 10 $ 2,35 kadar düşük bir fiyatla IRLML2502'dir .

^{bu devreyi simüle et - CircuitLab kullanılarak oluşturulan şematik}

IRLML2502, 2.5 Volt geçit voltajında maksimum 0.08 Ohm açıklığa sahiptir ve geçit voltajı 3.3 Volt'a yaklaştıkça daha azdır. Kaynağa 20 Volt Tahliye dayanabilir , bu nedenle 12 Voltluk bir kaynakla iyi çalışır. Drenaj-Kaynak akım değeri 3 Amper'den yüksektir ve% 100'den fazla güvenlik sağlar.

0.08 Ohm ve 1.5 Amperde , MOSFET tamamen açıkken 180 miliWatt harcayacaktır . PWM'nin anahtarlama kenarlarına izin verilse bile, dağılma 250 mW'yi aşmayacaktır, bu nedenle bu uygulama için ısı alıcıya gerek yoktur.

Varsayımlarla ilgili olarak:

• NPN transistör düşüşü ve dağıtımı doğrudur, belirli transistörlerin Vce'si nedeniyle biraz verin veya alın
• Tıknaz transistör (BJT), gerçekten değil, ancak TO-220 boyutu tipik olacak ve evet, bir soğutucu gerekiyordu
• Evet, yukarıdaki önerilen MOSFET'e bakın
• Doğru değil, 3.3 Volt'un altında oldukça iyi çalışan ve 1.5 Amperi kolayca geçirebilen birkaç düşük maliyetli MOSFET vardır.
• Hayır, bir NPN BJT ile her zaman taban akımı vb. Etrafında dengeleyici bir hareket vardır. MOSFET'ler voltaj tahrikli cihazlar, daha az yaygara ile çalışır

Bazı varsayımlarınız doğru. Bu cevap daha iyi bir yol sağlar ve eminim başkaları da vardır.

İlk düşünce bu devre: -

MCU, BC547'yi açar veya kapatır (neredeyse tüm NPN'ler yapar) ve bu, P kanalı FET'in kapısına 12V uygular (veya kaldırır). Direnci düşük bir P kanalı fetüne ihtiyacınız olacak. 0,1 Rds (açık) 0,2 W'tan daha az enerji harcayacaktır, bu nedenle FET için avlanmaya başlamak için iyi bir nokta.

Hertz'in 100'ünü değiştiriyorsanız, FET için 10k'lık kapıdan kaynağa sorun yok, ancak birkaç kHz bölgesinde iseniz 1k değeri daha iyi olurdu.

Muhtemelen IRLML5203 iyi bir seçimdir - 0.098 ohm Rds (açık), 30Vmax, 3Amax ve SOT23